如何应对静电对USB的“软性损伤”？

    现代电脑越来越多的采用低功率逻辑芯片，大多数USB集成电路都是以CMOS工艺为基础来设计和制造的，因此对静电非常敏感。假如发生了“软性损伤”(CMOS元件性能降级)，此时系统会不断产生不规则的数据位，要花费数小时来进行故障排查，并且依靠重复测试也很难发现系统异常，因此如何应对静电对USB造成的“软性损伤”已经成为眉睫的难题。

    USB产品在静电防护上要有科学地设计理念。设计时要考虑到静电对USB可能造成的损坏，将静电难题有效的得到改善。要用在USB3.0接口的静电防护元件必须同时符合下面三项要求：

静电防护元件本身的寄生电容必须要小，为影响USB3.0 4.8Gbps的传输速，其寄生电容必须小于0.3pF。

防护元件对静电的耐受能必须要高，最少要能承受IEC 61000-4-2接触模式8kV ESD的轰击。

静电防护元件在静电事件发生期间所提供的钳制电压必须要够低，能造成传输资的损坏。